BSO207P参数：MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@5.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@40µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：23.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1013pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：P-DSO-8
